文献「soi cmosデバイスで発生する放射線誘起パルスノイズsetの解析モデル」の詳細情報です。j-global 科学技術総合リンクセンターは研究者、文献、特許などの情報をつなぐことで、異分野の知や意外な発見などを支援する新しいサービスです。またjst内外の良質なコンテンツへ案内いたします。
in SOI CMOS Logic D. Kobayashi, K. Hirose, H. Ikeda, and H. Saito Institute of Space and Astronautical Science Japan Aerospace Exploration Agency ソフトエラー(などのLSIにおける放射線効果)に 関する第1回勉強会(京都)2011年9月7--8日 Most part of this material is presented in an invited talk at
第27 回(2009 年秋季)応用物理学会講演奨励賞,soi cmos デバイスで発生する放射線誘起パルスノイズset の解析モデル,応用物理学会 2010.3.17 佐々木 進 宇宙情報・エネルギ ー工学研究系 平成21 年度科学技術分野の文部科学大臣表彰 科学技術賞 2009.4
[Presentation] SOI CMOSデバイスで発生する放射線誘起パルスノイズSETの解析モデル 2009. Author(s) 小林大輔, 他 ...
[学会発表] SOI CMOSデバイスで発生する放射線誘起パルスノイズSETの解析モデル 2009. 著者名/発表者名 . 小林大輔, 他. 学会等名. 2009年秋季応用物理学会学術講演会. 発表場所. 富山県富山市. 年月日. 20090908-20090911 [学会発表] Device-physics-based analytical model for single event transients in SOI CMOS logics 2009. 著者名 ...
放射線が論理回路に当たるとパルス状のノイズが発生し回路が誤動作してしまう.このノイズパルスをSETパルスと呼び,対策のためにその波形を明らかにする必要がある.そのための手法を提案し,半導体製造技術の一つである完全空乏型SOI技術で作成した論理回路に適用して,そこで発生するSET ...
Fundamental matters regarding SOI devices, such as a kind of SOI substrates, features of SOI CMOS structures, and two kinds of operation modes in SOI MOSFETs,i.e., fully-depleted and partially-depleted modes, are explamed, and the reason why CM0S/SOI is effective for low-power and high-speed LSIs is described. Floating body effects in SOI MOSFFTs and some proposed methods to prevent the ...
SOI CMOSデバイスで発生する放射線誘起パルスノイズSETの解 析モデル (宇宙研 :廣瀬和之 ) 改正 清広* (京大院工) Nanoinkjet Printing法によるイオン液体微小液滴・超薄膜の堆積 およびその評価 (京大院工 1,京大ICC2:小林 圭2,山田啓文,松重和美1 ) 沼田 ...
When a pessimist has nothing to worry about, he worries about why he has nothing to worry about.
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